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FCB110N65F供应商

产品参考图片

FCB110N65F

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：FET - 单，TO-263-3，D2Pak

技术参数：MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

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参数详情：

制造商产品型号: FCB110N65F

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

系列: FRFET，SuperFET II

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 35A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 110 毫欧 @ 17.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 3.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 145nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 4895pF @ 100V

功率 - 最大值: 357W

安装类型: *

产品封装: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装: *

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