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FDB14AN06LA0供应商
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FDB14AN06LA0
制造厂商:
仙童半导体(FAIRCHILD)
类别封装:
单端场效应管,TO-263AB
技术参数:
MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
(专注销售仙童电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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参数详情:
制造商产品型号:FDB14AN06LA0
制造商:仙童半导体(Fairchild,已被ON安森美半导体公司收购)
描述:MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Ta),67A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.6 毫欧 @ 67A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2900pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:TO-263AB
FDB14AN06LA0的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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