FDB2670 | Fairchild仙童半导体

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FDB2670供应商

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FDB2670

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，TO-263AB

技术参数：MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

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参数详情：

制造商产品型号：FDB2670

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1320pF @ 100V

功率 - 最大值：93W

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263AB

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