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    FDB86366_F085
  • 制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）
  • 类别封装：FET - 单，TO-263-3，D2Pak
  • 技术参数：MOSFET N-CH 80V 110A TO263
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号: FDB86366_F085
  • 制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
  • 系列: PowerTrench
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 80V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 110A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 3.6 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 112nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 6280pF @ 40V
  • 功率 - 最大值: 176W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装: TO-263
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