FDC6321C | Fairchild仙童半导体

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FDC6321C供应商

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FDC6321C

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：场效应管阵列，6-SSOT

技术参数：MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

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参数详情：

制造商产品型号：FDC6321C

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：680mA，460mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 500mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.3nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 10V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

产品封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：6-SSOT

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