FDD6612A | Fairchild仙童半导体

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FDD6612A供应商

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FDD6612A

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，TO-252-3

技术参数：MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

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参数详情：

制造商产品型号：FDD6612A

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.5A（Ta），30A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.4nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：660pF @ 15V

功率 - 最大值：1.3W

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252-3

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