FDD8426H | Fairchild仙童半导体

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FDD8426H供应商

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FDD8426H

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：场效应管阵列，D-Pak

技术参数：MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK

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参数详情：

制造商产品型号：FDD8426H

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK

系列：PowerTrench

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A，10A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：53nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2735pF @ 20V

功率 - 最大值：1.3W

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

供应商器件封装：D-Pak 5-引线

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