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    FDFME2P823ZT
  • 制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）
  • 类别封装：单端场效应管，6-MicroFET
  • 技术参数：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：FDFME2P823ZT
  • 制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：二极管（隔离式）
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：600mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：6-UMLP，6-MicroFET
  • 供应商器件封装：6-MicroFET（1.6x1.6）
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