FDM3622 | Fairchild仙童半导体

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FDM3622供应商

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FDM3622

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，8-MLP

技术参数：MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

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参数详情：

制造商产品型号：FDM3622

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.4A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 4.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1090pF @ 25V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

产品封装：8-PowerWDFN

供应商器件封装：8-MLP（3.3x3.3）

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