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    FDMS3660S_F121
  • 制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）
  • 类别封装：场效应管阵列，Power56
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
  • （专注销售仙童电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：FDMS3660S_F121
  • 制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A，30A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1765pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：Power56
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