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FDMS86202ET120供应商

产品参考图片

FDMS86202ET120

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：FET - 单，8-PowerTDFN

技术参数：MOSFET N-CH 120V POWER56

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参数详情：

制造商产品型号: FDMS86202ET120

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

功能总体简述: MOSFET N-CH 120V POWER56

系列: PowerTrench

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 120V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 13.5A（Ta），102A（Tc）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 7.2 毫欧 @ 13.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250A

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 64nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 4585pF @ 60V

功率 - 最大值: 3.3W

安装类型: 表面贴装

产品封装: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

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