FDN306P | Fairchild仙童半导体

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FDN306P供应商

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FDN306P

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，3-SSOT

技术参数：MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

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参数详情：

制造商产品型号：FDN306P

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 2.6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1138pF @ 6V

功率 - 最大值：460mW

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：3-SSOT

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