FDR8305N | Fairchild仙童半导体

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FDR8305N供应商

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FDR8305N

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：场效应管阵列，8-SSOT

技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

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参数详情：

制造商产品型号：FDR8305N

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

系列：PowerTrench

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 4.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1600pF @ 10V

功率 - 最大值：800mW

安装类型：表面贴装

产品封装：8-SSOT，SuperSOT-8

供应商器件封装：8-SSOT

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