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FQB8N60CTM_WS供应商

产品参考图片

FQB8N60CTM_WS

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，TO-263

技术参数：MOSFET N-CH 600V 7.5A

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参数详情：

制造商产品型号：FQB8N60CTM_WS

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 3.75A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1255pF @ 25V

功率 - 最大值：3.13W

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263（D2Pak）

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