FQI7P06TU | Fairchild仙童半导体

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FQI7P06TU供应商

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FQI7P06TU

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，I2PAK

技术参数：MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK

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参数详情：

制造商产品型号：FQI7P06TU

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK

系列：QFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：410 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：295pF @ 25V

功率 - 最大值：3.75W

安装类型：通孔

产品封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：I2PAK

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