FQU3N60TU | Fairchild仙童半导体

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FQU3N60TU供应商

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FQU3N60TU

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，I-Pak

技术参数：MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

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参数详情：

制造商产品型号：FQU3N60TU

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：450pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：通孔

产品封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I-Pak

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