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HGT1S10N120BNST供应商

产品参考图片

HGT1S10N120BNST

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单路IGBT，TO-263AB

技术参数：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

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参数详情：

制造商产品型号：HGT1S10N120BNST

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

系列：-

IGBT 类型：NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35A

Current - Collector Pulsed (Icm)：80A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，10A

功率 - 最大值：298W

Switching Energy：320μJ （开）， 800μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：100nC

25°C 时 Td（开/关）值：23ns/165ns

Test Condition：960V, 10A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-263AB

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