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HGTD1N120BNS9A供应商

产品参考图片

HGTD1N120BNS9A

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单路IGBT，TO-252AA

技术参数：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

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参数详情：

制造商产品型号：HGTD1N120BNS9A

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

系列：-

IGBT 类型：NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5.3A

Current - Collector Pulsed (Icm)：6A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.9V @ 15V，1A

功率 - 最大值：60W

Switching Energy：70J （开）， 90J （关）

输入类型：标准

Gate Charge：14nC

25°C 时 Td（开/关）值：15ns/67ns

Test Condition：960V, 1A, 82 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252AA

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