J112_D26Z | Fairchild仙童半导体

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J112_D26Z供应商

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J112_D26Z

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：JFET结点场效应管，TO-92-3

技术参数：JFET N-CH 35V 625MW TO92

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参数详情：

制造商产品型号：J112_D26Z

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：JFET N-CH 35V 625MW TO92

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V

漏源极电压 (Vdss)：-

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

电阻 - RDS（开）：50 欧姆

安装类型：通孔

产品封装：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装：TO-92-3

功率 - 最大值：625mW

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