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MMBFJ112供应商

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MMBFJ112

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：JFET结点场效应管，SOT-23-3

技术参数：JFET N-CH 35V 350MW SOT-23

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参数详情：

制造商产品型号：MMBFJ112

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：JFET N-CH 35V 350MW SOT-23

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V

漏源极电压 (Vdss)：-

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1A

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

电阻 - RDS（开）：50 欧姆

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

功率 - 最大值：350mW

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