NDS8852H | Fairchild仙童半导体

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NDS8852H供应商

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NDS8852H

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：场效应管阵列，8-SOIC

技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

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参数详情：

制造商产品型号：NDS8852H

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A，3.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 3.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

产品封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

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