LVT373和LVTH373包含八个带有3态输出的闩锁，适合用于总线结构的系统应用。当锁存使能(LE)为高电平时，锁存器对于数据而言是透明的。当LE为低电平时，满足输入时序要求的数据被锁存。当输出使能(OE#)为低电平时，数据显示在总线上。当OE#为高电平时，总线输出处于高阻抗状态。LVTH373数据输入包含总线保持功能，无需外部上拉电阻即可保持未用的输入。这些八通道闩锁设计用于低电压(3.3V)VCC应用，也可向5V环境提供TTL接口。LVT373和LVTH373采用先进的BiCMOS技术制造，可实现类似于5VABT的高速运行，同时又能维持较低的CMOS功耗。

• 系统在5V VCC时的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需外部上拉电阻即可保持未用的输入(74LVTH373)，另外还提供不含总线保持功能的配置(74LVT373)。
• 允许带电插/拔
• 上电/掉电高阻抗提供无干扰总线负载
• -32 mA/+64 mA输出源电流/灌电流
• 功能上兼容74系列373
• 静电放电(ESD)性能：人体模型> 2000V机械模型> 200V充电器件模型> 1000V

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
74LVT373WMX	量产-ROHS：截至2015年12月	$0.295
74LVT373WM	量产-ROHS：截至2015年12月	$0.311
74LVT373MTCX	量产-ROHS：截至2011年8月	$0.227
74LVT373MTC	量产-ROHS：截至2011年8月	$0.24

• 1N916A - 小信号二极管
• RHRP3060 - 30 A、600 V 超高速二极管
• FDPF3860T - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 20A, 38.2mΩ
• FQU13N10L - N 沟道 QFET MOSFET 100V，10A，180mΩ
• FCPF9N60NT - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 9A, 385mΩ
• FGAF20N60SMD - 600V、20A、场截止 IGBT
• MTD3055VL - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
• KA278RA05C - 2A 可调/固定 5V 低压差稳压器 (LDO)
• FDC8878 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• BD239C - NPN外延硅晶体管