LVT573和LVTH573包含八个带有3态输出的闩锁，适合用于总线结构的系统应用。当锁存使能(LE)为高电平时，锁存器对于数据而言是透明的。当LE为低电平时，满足输入时序要求的数据被锁存。当输出使能(OE#)为低电平时，数据显示在总线上。当OE#为高电平时，总线输出处于高阻抗状态。LVTH573数据输入包含总线保持功能，无需外部上拉电阻即可保持未用的输入。这些八通道闩锁设计用于低电压(3.3V)VCC应用，也可向5V环境提供TTL接口。LVT573和LVTH573采用先进的BiCMOS技术制造，可实现类似于5VABT的高速运行，同时又能维持较低的CMOS功耗。

• 系统在5V VCC时的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需外部上拉电阻即可保持未用的输入(74LVTH573)，另外还提供不含总线保持功能的配置(74LVT573)。
• 允许带电插/拔
• 上电/掉电高阻抗提供无干扰总线负载
• -32 mA/+64 mA输出源电流/灌电流
• 功能上兼容74系列573
• 闩锁性能超过500 mA
• 静电放电(ESD)性能：人体模型> 2000V机械模型> 200V充电器件模型> 1000V

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
74LVT573MTCX	量产-ROHS：截至2011年8月	$0.24
74LVT573MTC	量产-ROHS：截至2011年8月	$0.256

• KDT00030 - 光电晶体管光探测器
• KA7805AE - 三端1A正压稳压器
• FAN3989 - USB/充电器检测器件（带负载开关）
• FFA60UP30DN - 60 A、300 V 超快速双二极管
• FDB12N50TM - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，11.5A，650mΩ
• FAN3180 - TTL 输入、单通道同相输出、2.8 A 峰值灌电流、2.5 A 源电流及 3.3 V LDO 低端栅极驱动器
• GBPC3502 - 35 A 桥式整流器
• FQP6N40CF - N 沟道 QFET FRFET MOSFET 400V, 6A, 1.1Ω
• FDPF8N50NZU - N 沟道 UniFET II Ultra FRFET MOSFET 500V, 6.5A, 1.2Ω
• FCPF4300N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET 800 V, 1.6 A, 4.3 Ω