VCX162373包含十六个具有3态输出的同相双向缓冲器，用于总线导向应用。该器件受字节控制。当闩锁使能(LE)为高电平时，触发器对数据来说是透明的。当LE为低电平时，符合设置时间的数据将被锁存。当输出使能(OE#)为低电平时，数据显示在总线上。当OE#为高电平时，输出处于高阻抗状态。VCX162373也设计为输出端带26ohm电阻。此设计可降低应用中的线路噪声，如内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向收发器/发射器。74VCX162373设计用于I/O兼容性达到3.6V的低压（1.4V至3.6V）VCC应用。74VCX162373采用先进的CMOS技术制造，以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。

• 1.4V-3.6V VCC电源供电
• 3.6V容差输入和输出电压
• 输出端带26ohm串联电阻
• tPD (In至On) 3.3 ns最大值（3.0V至3.6V VCC）
• 断电高阻抗输入和输出
• 支持带电插拔（注1）
• 3.0V VCC时，静态驱动(IOH/IOL) ±12 mA
• 使用专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路
• 闩锁性能超过300 mA
• 静电放电(ESD)性能： 人体模型> 2000V 机械模型> 200V

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
74VCX162373MTDX	量产-ROHS：截至2012年5月	$0.716

• FQPF17N40 - N 沟道 QFET MOSFET 400V, 9.5A, 270mΩ
• FQB22P10TM_F085 - -100 V、-22 A、125 mΩ、D2PAKP 沟道 QFET
• FQP55N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V，55A，26mΩ
• FODM453 - 5引脚MFP高速/高CMR晶体管输出光电耦合器
• MOC3032M - 6引脚DIP 250V过零触发可控硅驱动器输出光电耦合器
• FXLA108 - 双电源8位电压转换器
• FDB2532_F085 - 150 V、79 A、14 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench
• FDC8602 - 100V双N沟道PowerTrench MOSFET
• FGA30N60LSDTU - 整流器
• 1V5KE82CA - 1500W瞬态电压抑制二极管