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Fairchild产品 - BSS123L介绍

BSS123L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

BSS123L是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，BSS123L是N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了BSS123L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BSS123L相关的Fairchild元器件型号供参考。

BSS123L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

BSS123L - 产品描述

该N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度、沟道MOSFET技术制作。该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。该产品尤其适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、功率管理/电源和开关应用。

BSS123L - 产品特性
  • 0.17 A、100 V、RDS(ON) = 6 Ω（VGS = 10 V 时）， RDS(ON) = 10 Ω（VGS = 4.5 V 时）
  • 高密度单元设计，实现低 RDS(ON)
  • 坚固而可靠
  • 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装
  • 低电容
  • 快速开关速度
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • BSS123L - 产品应用
    以下列出了BSS123L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    BSS123L量产-ROHS：截至2014年8月$0.029
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