FAN3223-25系列双沟道4A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用中的N沟道增强MOSFET。驱动器可提供TTL或CMOS输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压闭锁功能。此外，此类驱动器在A和B沟道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双门驱动应用，如同步整流器。这样还可以并联两个驱动器，从而有效地使驱动单个MOSFET的电流能力增加一倍。

FAN322X驱动器内置用于最终输出级的MillerDrive。这一双极性器件和MOSFET的组合可在MOSFET导通/关断过程的米勒平台效应期间提供高电流，以最大限度地减少开关损耗，同时提供轨到轨电压摆幅和反向电流能力。

FAN3223配有两个反相驱动器，而FAN3224配有两个同相驱动器。每个器件都具有双独立使能引脚，而且如果未连接的话，默认为“开启”。在FAN3225中，各沟道具有极性相反的双沟道输入，允许通过使用第二输入的可选使能功能配置为同相或反相。如果一个或两个输入端均未连接，则内部电阻会偏置输入端，以便将输出端拉至低电平，以保持功率MOSFET关断。

• 符合 AEC Q-100
• 业界标准引脚排列
• 4.5 到 18V工作范围
• 5 A 峰值灌电流/源电流，VDD = 12 V
• 4.3 A 灌电流/2.8 A 源电流，需 VOUT = 6 V
• 可选择 TTL 或 CMOS 输入阈值
• 双独立驱动器的三个版本：
  • 双沟道反相+使能(FAN3223)
  • 双沟道同相+使能(FAN3224)
  • 双沟道输入(FAN3225)
• 无输入时内部电阻关闭驱动器
• MillerDrive 技术
• 带 2.2nF 负载时，典型上升/下降时间为 12ns/9ns
• 典型传播延迟（低于 20 ns）在 1 ns 内与其它沟道匹配
• 并联使用沟道可使电流能力增加一倍
• 8 引脚 3x3 毫米 MLP 或 8 引脚 SOIC封装
• 额定环境温度为-40℃到+125℃

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FAN3225TMX_F085	量产-ROHS：截至2012年7月	$0.7792

• FDS8984_F085 - 30 V、7.0 A、19 mΩ、SO-8、逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench
• FNA41060 - Motion SPM 45 系列
• MM3Z18VC - 18.0V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• 1V5KE7V5A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• 1N4730A - 3.9V、1W齐纳二极管
• SMCJ150A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FDME1023PZT - -20V双P沟道PowerTrench MOSFET
• NC7SV19 - TinyLogic ULP-A 1:2 解码器/解复用器
• FQT4N25 - N 沟道 QFET MOSFET 250V, 0.83A, 1.75Ω
• GF1M - 1.0A通用整流器