FAN6791 - 用于反激式和正激转换器的双通道 PWM 组合控制器

高度集成的FAN6791双通道PWM组合控制器提供多种功能来增强转换器的性能。

为最大限度降低待机功耗，专有绿色模式功能提供了关断时间调制，以在轻载条件下线性降低开关频率。为了避免声学噪声问题，最小PWM频率设置在20KHz以上。此绿色模式功能使电源满足国际节能要求。有了内部高压启动电路，因启动电阻而产生的功率损耗也消除了。为了进一步降低功耗，FAN6791采用CMOS工艺制造，仅允许6mA的工作电流。

FAN6791内部集成了抖频功能，以使用最少的线路滤波器来降低电源的EMI辐射。内置的同步斜率补偿可实现稳定的峰值电流模式控制。专有的内部线路补偿保证了恒定输出功率限制。

FAN6791/3提供了许多保护功能，包括断电保护、逐周期限流和内部开环保护电路，以便在开环或输出短路故障发生时确保安全性。当控制器再次启动时，PWM输出禁用，直到VDD降至欠压闭锁(UVLO)下限值以下。如果VDD超过~24.5V，则内部过压保护(OVP)电路将被触发。

• 高压启动
• 低工作电流
• 交错式待机PWM/正向PWM开关
• 绿色模式待机PWM/正向PWM
• 线性递减待机PWM，频率达20kHz
• 远程开/关
• AC断电保护
• 带软启动的正向PWM
• 抖频可降低EMI辐射
• 待机PWM/正向PWM的逐周期限流保护
• 待机PWM/正向PWM的前沿消隐
• 待机PWM/正向PWM的同步斜率补偿
• 栅极输出最大电压箝位
• VDD过压保护 (OVP)
• VDD欠压锁定 (UVLO)
• 待机PWM/正激PWM的内部开环保护
• 待机PWM/正向PWM的恒定功率限制

• 台式计算机

• FQP3N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300V，3.2A，2.2Ω
• BZX84C33 - 33V、0.35W齐纳二极管
• FQB55N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V，55A，26mΩ
• FDD6637 - -35V P沟道PowerTrench MOSFET
• RURG80100_F085 - 80 A、1000 V 超快速整流器
• FQA11N90C_F109 - N 沟道 QFET MOSFET 900V, 11.0A, 1.1Ω
• ISL9V2040D_F085 - 430 V、10 A、1.95 V、200 mJ、DPAKEcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
• 74AUP1G96 - TinyLogic 低功率通用可配置双输入逻辑门（漏极开路输出）
• DF06S1 - 桥式整流器
• FDA33N25 - N 沟道 UniFET MOSFET 250V，33A，94mΩ