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Fairchild产品 - FCD9N60NTM介绍

FCD9N60NTM - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 9A, 385mΩ

FCD9N60NTM是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FCD9N60NTM是N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 9A, 385mΩ，本站介绍了FCD9N60NTM的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCD9N60NTM相关的Fairchild元器件型号供参考。

FCD9N60NTM - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 9A, 385mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FCD9N60NTM - 产品描述

SupreMOSMOSFET是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统SJMOSFET产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的Rspon-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。SupreMOSMOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

FCD9N60NTM - 产品特性
  • RDS(on) = 330mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 4.5A
  • 超低栅极电荷（典型值 Qg = 17.8nC )
  • 低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 122pF ）
  • 100%经过雪崩测试
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FCD9N60NTM - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FCD9N60NTM相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FCD9N60NTM量产-ROHS：截至2009年7月$1.49
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