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Fairchild产品 - FCH041N65F介绍

FCH041N65F - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET

FCH041N65F是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FCH041N65F是N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET，本站介绍了FCH041N65F的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCH041N65F相关的Fairchild元器件型号供参考。

FCH041N65F - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FCH041N65F - 产品描述

SuperFETIIMOSFET是Fairchild全新的高压超结(SJ)MOSFET系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术专为最大程度地减少导通损耗，提供较高的开关性能、dv/dt速率和较高的雪崩能量而设计。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、FPD电视电源、ATX电源及工业电源应用。SuperFETIIFRFETMOSFET优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。

FCH041N65F - 产品特性
  • 700 V @ TJ = 150°C
  • 典型值 RDS(on) = 36 mΩ
  • 超低栅极电荷（典型值 Qg = 226 nC)
  • 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 843 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FCH041N65F - 产品应用
    以下列出了FCH041N65F相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FCH041N65F_F155量产-ROHS：截至2013年12月$11
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