SuperFETIIMOSFET是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，与SuperFETIIMOSFET系列相比，SuperFETIIMOSFET易驱动系列提供略为缓慢的上升和下降时间。注意以“E”作为后缀的系列产品有助于控制EMI问题和允许更简单的设计执行。对于开关速度很快同时需要开关损耗必须尽可能低的应用，请考虑使用Super-FETIIMOSFET系列。

• 650 V（TJ=150°C）
• 典型值 RDS(on) = 58 mΩ
• 超低栅极电荷（典型值 Qg = 128 nC）
• 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 457 pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FCH070N60E	量产-ROHS：截至2015年2月	$5.712

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