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Fairchild产品 - FCMT199N60介绍

FCMT199N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET

FCMT199N60是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FCMT199N60是N 沟道 SuperFET II MOSFET，本站介绍了FCMT199N60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCMT199N60相关的Fairchild元器件型号供参考。

FCMT199N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FCMT199N60 - 产品描述

SuperFETIIMOSFET是飞兆半导体全新的高压超结(SJ)MOSFET系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术专为最大程度地减少导通损耗，提供较高的开关性能、dv/dt速率和较高的雪崩能量而设计。因此，SuperFETIIMOSFET非常适合用于诸如服务器/电信电源、适配器和光伏逆变器应用等开关电源应用。Power88封装是一款超薄型表面贴装封装（高度为1mm），外形轻薄、小巧(8x8mm2)。SuperFETIIMOSFET采用Power88封装，由于具有更低的寄生源极电感和独立电源和驱动电源，可实现卓越的开关性能Power88可达到湿度敏感1级水平(MSL1)。

FCMT199N60 - 产品特性
  • 650 V @ TJ = 150°C
  • RDS(on)=170 mΩ（典型值）
  • 超低栅极电荷（典型值 Qg = 57 nC)
  • 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 160 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FCMT199N60 - 产品应用
    以下列出了FCMT199N60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FCMT199N60量产-ROHS：截至2013年2月$2.58
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