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FCMT299N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET
FCMT299N60是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FCMT299N60是N 沟道 SuperFET II MOSFET，本站介绍了FCMT299N60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCMT299N60相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FCMT299N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FCMT299N60 - 产品描述
SuperFETIIMOSFET是Fairchild利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFETIIMOSFET非常适合开关电源应用，如服务器/电信电源、电源适配器及太阳能逆变器应用。Power88封装是一款超薄型表面贴装封装（高度为1mm），外形轻薄、小巧(8x8mm2)。Power88封装的SuperFETIIMOSFET的寄生电源电感较低，功率端和驱动源分离，因而具有优良的开关性能。Power88可达到湿度敏感1级水平(MSL1)。
FCMT299N60 - 产品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- RDS(on) = 250 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值 Qg = 39 nC)
- 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 127 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FCMT299N60 - 产品应用
以下列出了FCMT299N60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FCMT299N60 | 量产-ROHS：截至2014年6月 | $2.14 |
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