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FCP099N60E - N 沟道 SuperFET II Easy-Drive MOSFET
FCP099N60E是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FCP099N60E是N 沟道 SuperFET II Easy-Drive MOSFET，本站介绍了FCP099N60E的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCP099N60E相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FCP099N60E - N 沟道 SuperFET II Easy-Drive MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FCP099N60E - 产品描述
SuperFETIIMOSFET是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，与SuperFETIIMOSFET系列相比，SuperFETIIMOSFET易驱动系列提供略为缓慢的上升和下降时间。注意以“E”作为后缀的系列产品有助于控制EMI问题和允许更简单的设计执行。对于开关速度很快同时需要开关损耗必须尽可能低的应用，请考虑使用SuperFETIIMOSFET系列。
FCP099N60E - 产品特性
- 650 V（TJ=150°C）
- 典型值 RDS(on) = 87 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值 Qg = 88 nC）
- 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 309 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FCP099N60E - 产品应用
以下列出了FCP099N60E相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FCP099N60E | 量产-ROHS：截至2015年8月 | $3.5986 |
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