FCP11N60 - 600V N沟道SuperFET

SuperFETMOSFET是飞兆半导体公司第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和较低栅极电荷性能的高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

• 650 V（Tj = 150°C）
• 典型值 Rds(on) = 0.32 Ω
• 超低栅极电荷（典型值 Qg=40nC)
• 低有效输出电容（典型值 Coss.eff=95pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

• RB520S30 - 肖特基势垒二极管
• FFP08S60S - 8 A、600 V STEALTH II 代二极管
• 74LCX374 - 低压八路D型触发器（5V容许输入和输出电压）
• P6KE9V1CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• KSC1008 - NPN外延硅晶体管
• FSGM0565R - 具有异常 OCP 功能的 650 V 集成电源开关，用于 60 W 离线反激式转换器
• FDN86265P - -150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET
• NC7SZ126 - 带 3 态输出的 TinyLogic UHS 缓冲器
• NZT605 - NPN达林顿晶体管
• NDS352AP - -30V P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 推荐使用FDN352AP