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FCP11N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ
FCP11N60N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FCP11N60N是N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ，本站介绍了FCP11N60N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCP11N60N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FCP11N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FCP11N60N - 产品描述
SupreMOSMOSFET是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统SJMOSFET产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的Rspon-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。SupreMOSMOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
FCP11N60N - 产品特性
- RDS(on) = 255mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 5.4A
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 27.4nC )
- 低有效输出电容（典型值Coss.eff = 130pF )
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FCP11N60N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FCP11N60N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FCP11N60N | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.92 |
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