FCP16N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600 V, 16 A, 260 mΩ

SuperFETMOSFET是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

• 650V @TJ = 150°C
• 典型值 Rds(on) = 0.22O
• 超低栅极电荷（典型值 Qg=55nC)
• 低有效输出电容（典型值 Coss.eff=110pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

• LM7809 - 三端1A正压稳压器
• FDD7N20TM - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，5A，690mΩ
• PCCA048N65FD8 - 650 V、60 A、41 mΩ 裸片N 沟道 SuperFET II
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