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Fairchild产品 - FCP190N65F介绍

FCP190N65F - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET

FCP190N65F是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FCP190N65F是N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET，本站介绍了FCP190N65F的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCP190N65F相关的Fairchild元器件型号供参考。

FCP190N65F - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FCP190N65F - 产品描述

SuperFETIIMOSFET是Fairchild全新的高压超结(SJ)MOSFET系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SuperFETIIFRFETMOSFET优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。

FCP190N65F - 产品特性
  • 700 V @ TJ = 150°C
  • 典型值 RDS(on)=168 mΩ
  • 超低栅极电荷（典型值 Qg = 60 nC)
  • 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 186 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FCP190N65F - 产品应用
    以下列出了FCP190N65F相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FCP190N65F量产-ROHS：截至2013年12月$2.19
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