FCP20N60 - N 沟道 SuperFET 600 V，20 A，190 mΩ

SuperFETMOSFET是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

• 650V @ TJ = 150°C
• 典型值 RDS(on) = 150 mΩ
• 超低栅极电荷（典型值 Qg = 75 nC )
• 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 165 pF )
• 100% 经过雪崩击穿测试

• MMBTH10RG - NPN RF晶体管
• MMBT2907 - PNP通用放大器
• FDS5672 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET
• FSL106HR - 提供 100 kHz 频率和可调电流限制的 650 V 集成电源开关，用于 10 W 离线反激式转换器
• ISL9V2040S_F085 - 430 V、10 A、1.95 V、200 mJ、DPAKEcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
• NC7WZ126 - 带3态输出的TinyLogic UHS缓冲器
• FQB1P50 - P 沟道 QFET MOSFET -500V, -1.5A, 10.5Ω
• FCB20N60F_F085 - N 沟道 MOSFET 600V、20A、190mΩ，
• FLS2100XS - FLS2100XS 400W照明用半桥LLC谐振控制IC
• FDP61N20 - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，61A，41mΩ