FCPF11N60 - 600V N沟道SuperFET

SuperFETMOSFET是飞兆半导体公司第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和较低栅极电荷性能的高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

• 650V @Tj = 150°C
• 典型值 Rds(on) = 0.32 Ω
• 超低栅极电荷（典型值 Qg=40nC)
• 低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 95 pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

• FDLL333 - 小信号二极管
• FQPF9N25C - N 沟道 QFET MOSFET 250V, 8.8A, 430mΩ
• BCV71 - NPN通用放大器
• FDMA410NZ - 20V单N沟道1.5V额定PowerTrench MOSFET
• FCU2250N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 Ω
• FGB3040G2_F085 - 400 V、26 A、1.35 V、300 mJ、D2PAKEcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT
• PCFD150N10AW - MOSFET
• EGP10D - 1.0A快速恢复整流器
• MOC3052M - 6引脚DIP 600V任意相位三端双向可控硅开关式驱动输出光耦合器
• NC7SZ384 - 1位低功率总线开关