SuperFETMOSFET是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。Super-FETFRFETMOSFET优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。

• 600 V @ TJ = 150°C
• 典型值 RDS(on) = 320 mΩ
• 快速恢复类型 (trr = 120 ns)
• 超低栅极电荷（典型值 Qg = 40 nC)
• 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 95 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FCPF11N60F	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.72

• PZTA92 - PNP高压放大器
• FDT457N - N沟道增强模型场效应晶体管
• 74VHC164 - 8位串进并出移位寄存器
• S3AB - 3 A、50 V 表面贴装整流器
• FDPF51N25RDTU - N 沟道 UniFET MOSFET 250 V，51 A，60 mΩ
• FQA36P15 - P 沟道 QFET MOSFET -150V, -36A, 90mΩ
• KA5L0565R - 用于 60 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• FIN324C - 24位超低功耗串并并串转换器，支持单通道和双通道显示屏（*推荐新设计使用）
• FGP15N60UNDF - 600V，15A，短路额定IGBT
• SMCJ60CA - 1500W瞬态电压抑制二极管