FCPF11N60T - 600V N沟道SuperFET

SuperFETMOSFET是飞兆半导体公司第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和较低栅极电荷性能的高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

• 650V @Tj = 150°C
• 典型值 Rds(on) = 0.32 Ω
• 超低栅极电荷（典型值 Qg=40nC)
• 低有效输出电容（典型值 Coss.eff=95pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

• FFH50US60S_F085 - 600 V、50 A、1.69 V、TO-247（2 引脚）Stealth 整流器
• FQD6N40C - 400V N沟道QFET C系列
• GBPC3502 - 35 A 桥式整流器
• MMSZ5253B - 25V、0.5W齐纳二极管
• KA78R05C - 1A固定5V低压差稳压器(LDO)
• FDMS7692 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• KST2907A - PNP外延硅晶体管
• MJE2955T - PNP硅晶体管
• FAN3111C - CMOS 输入，单通道反相或同相输出、1.4 A 峰值灌电流、1.4 A 源电流低端栅极驱动器
• MC7805E - 三端1A正压稳压器