SuperFETIIMOSFET是飞兆半导体全新的高电压超级结MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡技术，实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。该先进MOSFET经专门设计，不仅可最大程度地减少传导损耗，而且还能实现卓越的开关性能。除了这些优势，与传统的超级结MOSFET相比，该产品还可耐受极高的dv/dt和较高的雪崩能量。SuperFETIIMOSFET适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。

• TJ = 150°C 时为 650 V
• 最大值 RDS(on) = 199mΩ
• 超低栅极电荷（典型值 Qg = 57nC )
• 低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 160pF )
• 100% 经过雪崩击穿测试

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FCPF190N60	量产-ROHS：截至2012年10月	$2

• RURP3060 - 30 A、600 V 超快速二极管
• MM3Z75VC - 75.0V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• FAN156 - Low Voltage Comparator
• GBPC3502 - 35 A 桥式整流器
• H11AA1M - 6引脚DIP AC输入光电晶体管输出光电耦合器
• FSBH0370NY_F116 - 用于 19 W 离线反激式转换器的 700 V 集成电源开关，100 kHz，提供通电/欠压保护
• 1N5246B - 16V、0.5W齐纳二极管
• FDPF3N50NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 500V，3A，2.5Ω
• FFB2222A - NPN多芯片通用放大器
• 1V5KE130A - 1500W瞬态电压抑制二极管