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FCPF190N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ
FCPF190N60是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FCPF190N60是N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ，本站介绍了FCPF190N60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCPF190N60相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FCPF190N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FCPF190N60 - 产品描述
SuperFETIIMOSFET是飞兆半导体全新的高电压超级结MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡技术，实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。该先进MOSFET经专门设计，不仅可最大程度地减少传导损耗，而且还能实现卓越的开关性能。除了这些优势，与传统的超级结MOSFET相比，该产品还可耐受极高的dv/dt和较高的雪崩能量。SuperFETIIMOSFET适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。
FCPF190N60 - 产品特性
- TJ = 150°C 时为 650 V
- 最大值 RDS(on) = 199mΩ
- 超低栅极电荷（典型值 Qg = 57nC )
- 低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 160pF )
- 100% 经过雪崩击穿测试
FCPF190N60 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FCPF190N60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FCPF190N60 | 量产-ROHS：截至2012年10月 | $2 |
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