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Fairchild产品 - FCPF190N60介绍

FCPF190N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ

FCPF190N60是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FCPF190N60是N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ，本站介绍了FCPF190N60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCPF190N60相关的Fairchild元器件型号供参考。

FCPF190N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FCPF190N60 - 产品描述

SuperFETIIMOSFET是飞兆半导体全新的高电压超级结MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡技术，实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。该先进MOSFET经专门设计，不仅可最大程度地减少传导损耗，而且还能实现卓越的开关性能。除了这些优势，与传统的超级结MOSFET相比，该产品还可耐受极高的dv/dt和较高的雪崩能量。SuperFETIIMOSFET适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。

FCPF190N60 - 产品特性
  • TJ = 150°C 时为 650 V
  • 最大值 RDS(on) = 199mΩ
  • 超低栅极电荷（典型值 Qg = 57nC )
  • 低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 160pF )
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FCPF190N60 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FCPF190N60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FCPF190N60量产-ROHS：截至2012年10月$2
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