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Fairchild产品 - FCPF20N60介绍

FCPF20N60 - N 沟道 SuperFET 600 V，20 A，190 mΩ

FCPF20N60是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FCPF20N60是N 沟道 SuperFET 600 V，20 A，190 mΩ，本站介绍了FCPF20N60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCPF20N60相关的Fairchild元器件型号供参考。

FCPF20N60 - N 沟道 SuperFET 600 V，20 A，190 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FCPF20N60 - 产品描述
不推荐新设计使用截至2014年2月14日

SuperFETMOSFET是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

FCPF20N60 - 产品特性
  • 650 V（TJ = 150°C）
  • 典型值 RDS(on) = 150 mΩ
  • 超低栅极电荷（典型值 Qg = 75 nC )
  • 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 165 pF )
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FCPF20N60 - 产品应用
    以下列出了FCPF20N60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FCPF20N60不推荐新设计使用截至2010年6月24日符合RoHS标准截至2006年2月27日FCPF16N60NT
    FCPF20N60T不推荐新设计使用截至2014年2月14日符合RoHS标准截至2006年2月27日FCPF190N60E
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