SupreMOSMOSFET是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统SJMOSFET产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的Rspon-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。SupreMOSMOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

• BVDSS = 650V @ TJ = 150°C
• RDS(on) = 140mΩ （典型值）@ VGS = 10V，ID = 11A
• 超低栅极电荷（典型值Qg = 45nC )
• 低有效输出电容（典型值Coss.eff = 196.4pF )
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FCPF22N60NT	量产-ROHS：截至2009年6月	$2.85

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• FDS6680A - 30V单N沟道，逻辑电平，Power Trench MOSFET
• FAN73892 - 625 V、3.3/5 V 输入逻辑兼容、0.65/0.35 A 灌电流/源电流、3 相半桥式栅极驱动 IC，具有 OCP 和关断保护功能
• 74LVTH240 - 低压八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）
• FGL40N120AN - 1200 V NPT IGBT
• MM5Z11V - 齐纳二极管
• FDMS7698 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• MM5Z20V - 齐纳二极管
• FDD8424H_F085A - 40 V/-40 V、26/-20 A、24/54 mΩ、DPAK（4 引脚）N 沟道和 P 沟道 PowerTrench
• PZT2907A - 60 V PNP 通用晶体管