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Fairchild产品 - FCU850N80Z介绍

FCU850N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET 800 V、6 A、850 mΩ

FCU850N80Z是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FCU850N80Z是N 沟道 SuperFET II MOSFET 800 V、6 A、850 mΩ，本站介绍了FCU850N80Z的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCU850N80Z相关的Fairchild元器件型号供参考。

FCU850N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET 800 V、6 A、850 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FCU850N80Z - 产品描述

SuperFETIIMOSFET是Fairchild利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。此外，内部栅源极ESD二极管允许经受超过2kVHBM冲击压力。因此，SuperFETIIMOSFET非常适合功率开关应用，如音频、笔记本适配器、照明、ATX电源和工业电源应用。

FCU850N80Z - 产品特性
  • 典型值 RDS(on) = 710 mΩ（典型值）
  • 超低栅极电荷（典型值 Qg = 22 nC）
  • 低 Eoss（典型值 2.3 uJ @ 400V)
  • 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 106 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FCU850N80Z - 产品应用
    以下列出了FCU850N80Z相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FCU850N80Z量产-ROHS：截至2014年8月$1.2
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