此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

• RDS(on) = 3.0mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A
• 快速开关速度
• 低栅极电荷，QG = 89nC（典型值）
• 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
• 高功率和高电流处理能力
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDB035N10A	量产-ROHS：截至2011年1月	$3.43

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