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Fairchild仙童半导体芯片:
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FDB20N50F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500 V、
FDB20N50F是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品,FDB20N50F是N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500 V、,本站介绍了FDB20N50F的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDB20N50F相关的Fairchild元器件型号供参考。
FDB20N50F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500 V、 - MOSFET - FET - 仙童半导体
FDB20N50F - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品,基于平面条形技术和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec,而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此,它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDB20N50F - 产品特性
- RDS(on) = 220 mΩ(典型值) @ VGS = 10 V, ID = 10 A
- 低栅极电荷(典型值 50 nC)
- 低 Crss(典型值 27 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高dv/dt能力
- 符合 RoHS 标准
- 符合JEDEC标准JESD22-A113F和IPC/JEDEC J-STD-020D.1
FDB20N50F - 产品应用
以下列出了FDB20N50F相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDB20N50F | 量产-ROHS:截至2010年11月 | $2.09 |
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