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Fairchild产品 - FDB3632介绍

FDB3632 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V、80A、9mΩ

FDB3632是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDB3632是N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V、80A、9mΩ，本站介绍了FDB3632的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB3632相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDB3632 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V、80A、9mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDB3632 - 产品描述
FDB3632 - 产品特性
  • RDS(ON) = 7.5mΩ（典型值） @ VGS = 10V, ID = 80A
  • QG(tot) = 84nC（典型值） @ VGS = 10V
  • 低米勒电荷
  • 低 QRR体二极管
  • UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDB3632 - 产品应用

    • AC-DC商用电源-服务器和工作站
    • 其他数据处理
    • 工作站
    • 服务器和大型机

    以下列出了FDB3632相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDB3632量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$2.09
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