此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。

比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

• 80A, 30 V
  • RDS(ON) = 0.0035 Ω@ VGS =10 V
  • RDS(ON) = 0.0045 Ω@ VGS =4.5 V
• 在高温下指定的临界DC电气参数
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 175°C最大结温额定值

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDB8030L	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$6.45

• FAN3223C_F085 - 双通道 4 A 高速，低端栅极驱动器
• FSV530AF - 肖特基势垒整流器
• FAN6300H - 用于反激式转换器的绿色模式 QR PWM 控制器，频率高达 190 KHz
• FDD6N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，6A，900mΩ
• FDMC86324 - 80V N 沟道 PowerTrench MOSFET
• SGP13N60UFD - 600 V，PT IGBT
• FPF1321 - 具有精确反向电流阻隔功能的IntelliMAX 双输入单输出高级功率开关
• FSUSB11 - 低功耗全速USB开关
• FQU5N50C - 分立式 MOSFET
• FSCQ0965RT - 用于 110 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关