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Fairchild产品 - FDB8860_F085介绍

FDB8860_F085 - 30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench

FDB8860_F085是Fairchild仙童半导体公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDB8860_F085是30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDB8860_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB8860_F085相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDB8860_F085 - 30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - 仙童半导体

FDB8860_F085 - 产品描述
FDB8860_F085 - 产品特性
  • RDS(ON) = 1.9 mΩ （典型值）、VGS = 5 V、ID = 80 A
  • Qg(5) = 89nC（典型值），VGS = 5V
  • 低米勒电荷
  • 低 QRR体二极管
  • UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDB8860_F085 - 产品应用

    • 人体电子
    • 传动系
    • 便携导航
    • 信息娱乐
    • 其他
    • 其他车用
    • 安全和控制
    • 舒适与便捷
    • 车辆安全系统

    以下列出了FDB8860_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDB8860_F085量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.33
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